IRF1902GPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF1902GPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF1902GPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.750 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF1902GPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF1902GPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRF1902GPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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