Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF2903ZSTRLP

IRF2903ZSTRLP

Nur als Referenz

Teilenummer IRF2903ZSTRLP
PNEDA Teilenummer IRF2903ZSTRLP
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.290
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 23 - Jul 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF2903ZSTRLP Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF2903ZSTRLP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRF2903ZSTRLP, IRF2903ZSTRLP Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 417,96 KB)
PDFIRF2903ZSTRLP Datenblatt Cover
IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 2 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 3 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 4 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 5 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 6 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 7 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 8 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 9 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 10 IRF2903ZSTRLP Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF2903ZSTRLP Datasheet
  • where to find IRF2903ZSTRLP
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF2903ZSTRLP
  • IRF2903ZSTRLP PDF Datasheet
  • IRF2903ZSTRLP Stock

  • IRF2903ZSTRLP Pinout
  • Datasheet IRF2903ZSTRLP
  • IRF2903ZSTRLP Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF2903ZSTRLP Price
  • IRF2903ZSTRLP Distributor

IRF2903ZSTRLP Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6320pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)290W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXTH90P10P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarP™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

462W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

IPB060N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

136A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.6V @ 180µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-7

Paket / Fall

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

FDP053N08B-F102

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5960pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

146W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

BSZ120P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 73µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3360pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TSDSON-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

RJK03M3DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3010pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WPAK

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Kürzlich verkauft

DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

1N4007G

1N4007G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

EPCQ64ASI16N

EPCQ64ASI16N

Intel

IC CONFIG DEVICE 64MBIT 16SOIC

74HCT04D

74HCT04D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC

CJS-1201TB1

CJS-1201TB1

Nidec Copal Electronics

SWITCH SLIDE SPDT 100MA 6V

SSCMRRN100MGAF5

SSCMRRN100MGAF5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRES .1BAR GAUG 5V SMD

LIS2DH12TR

LIS2DH12TR

STMicroelectronics

ACCEL 2-16G I2C/SPI 12LGA

UCLAMP3301D.TCT

UCLAMP3301D.TCT

Semtech

TVS DIODE 3.3V 9.5V SOD323

MCIMX6G1CVM05AA

MCIMX6G1CVM05AA

NXP

IC MPU I.MC6UL 528MHZ 289BGA

STM32F103C8T6

STM32F103C8T6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP

SSC9522S

SSC9522S

Sanken

IC CTLR QUASI RES AC/DC 8SOP

W25Q64DWSSIG

W25Q64DWSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC