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IRF730ASTRR

IRF730ASTRR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF730ASTRR
PNEDA Teilenummer IRF730ASTRR
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Hersteller Vishay Siliconix
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IRF730ASTRR Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF730ASTRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRF730ASTRR, IRF730ASTRR Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 209,25 KB)
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IRF730ASTRR Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)74W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFH6200TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10890pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SIS698DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

19.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

FQP7N20

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

690mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

C2M0280120D

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-FET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

370mOhm @ 6A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1.25mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

259pF @ 1000V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

BSC094N06LS5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 14µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-6

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

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DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

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IC MTR DRVR BIPOLAR 0V-5V 25HZIP

ADG506AKR

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Analog Devices

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Microchip Technology

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SSM3K15AFS,LF

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Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

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TVS DIODE 5V 9.8V SOT23-3

T491D107K016AT

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KEMET

CAP TANT 100UF 10% 16V 2917

SMLVT3V3

SMLVT3V3

STMicroelectronics

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TRANS NPN 60V 0.5A SOT23

LD1086D2T33TR

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IC REG LINEAR 3.3V 1.5A D2PAK

MPXM2010GS

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SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK