IRF8313TRPBF
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| Teilenummer | IRF8313TRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF8313TRPBF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 93.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF8313TRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF8313TRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRF8313TRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
