IRF9910PBF
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| Teilenummer | IRF9910PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF9910PBF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.672 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF9910PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF9910PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRF9910PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A, 12A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V Leistung - max 17.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
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