IRFB3256PBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRFB3256PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFB3256PBF |
| Beschreibung | MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRFB3256PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IRFB3256PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRFB3256PBF Datasheet
- where to find IRFB3256PBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRFB3256PBF
- IRFB3256PBF PDF Datasheet
- IRFB3256PBF Stock
- IRFB3256PBF Pinout
- Datasheet IRFB3256PBF
- IRFB3256PBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRFB3256PBF Price
- IRFB3256PBF Distributor
IRFB3256PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 48V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.3mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3191pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 53.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8W Paket / Fall PowerPAK® 1212-8W |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 370mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13.8A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 156W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH) Paket / Fall TO-247-3 |
