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IRFL024ZPBF

IRFL024ZPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFL024ZPBF
PNEDA Teilenummer IRFL024ZPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Hersteller Infineon Technologies
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IRFL024ZPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFL024ZPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRFL024ZPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds340pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

510mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STH80N10F7-2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

H2Pak-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AON6362P

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

JANTX2N6770T1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/543

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-254AA

Paket / Fall

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

C3M0030090K

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

C3M™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

63A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 35A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 11mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 15V

Vgs (Max)

+15V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1864pF @ 600V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

149W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-4

Paket / Fall

TO-247-4

Kürzlich verkauft

4TPE220MAZB

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CAP TANT POLY 220UF 4V 1411

BZT52C3V9-7-F

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DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

PIC16LF877A-I/L

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IC MCU 8BIT 14KB FLASH 44PLCC

TXH 120-112

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Traco Power

AC/DC CONVERTER 12V 120W

TN2404K-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3

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Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO39

MT25QU01GBBB8ESF-0SIT

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2

NB2305AI1HDR2G

NB2305AI1HDR2G

ON Semiconductor

IC BUFFER CLOCK 5OUT 3.3V 8-SOIC

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

UF4006-E3/54

UF4006-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

SMBJ7.0CA-E3/52

SMBJ7.0CA-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

0466005.NRHF

0466005.NRHF

Littelfuse

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