Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFP4332-203PBF

IRFP4332-203PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFP4332-203PBF
PNEDA Teilenummer IRFP4332-203PBF
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.570
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 12 - Jul 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFP4332-203PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFP4332-203PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFP4332-203PBF Datasheet
  • where to find IRFP4332-203PBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRFP4332-203PBF
  • IRFP4332-203PBF PDF Datasheet
  • IRFP4332-203PBF Stock

  • IRFP4332-203PBF Pinout
  • Datasheet IRFP4332-203PBF
  • IRFP4332-203PBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRFP4332-203PBF Price
  • IRFP4332-203PBF Distributor

IRFP4332-203PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.57A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5860pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)360W (Tc)
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AC
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CMPDM303NH TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (Max)

12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23F

Paket / Fall

SOT-23-3 Flat Leads

STFI9N60M2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II Plus

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

780mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAKFP (TO-281)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FCH043N60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12225pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

592W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

NTD60N02RT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A (Ta), 32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta), 58W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMP1045UFY4-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.7nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1291pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

3-XFDFN

Kürzlich verkauft

AD7994BRU-0REEL

AD7994BRU-0REEL

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 16TSSOP

STPS0560Z

STPS0560Z

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOD123

YC324-JK-0710KL

YC324-JK-0710KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 2012

S34ML08G101BHI000

S34ML08G101BHI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

FGH40N60SMD

FGH40N60SMD

ON Semiconductor

IGBT 600V 80A 349W TO-247-3

MLX90615SSG-DAA-000-TU

MLX90615SSG-DAA-000-TU

Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO46-4

M27C256B-12F1

M27C256B-12F1

STMicroelectronics

IC EPROM 256K PARALLEL 28CDIP

TJA1052IT/5Y

TJA1052IT/5Y

NXP

DGTL ISOLATOR 5KV 2CH CAN 16SO

74437349015

74437349015

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 8A 9 MOHM SMD

AT28C16-15TC

AT28C16-15TC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 28TSOP

4816P-1-331LF

4816P-1-331LF

Bourns

RES ARRAY 8 RES 330 OHM 16SOIC

HX5008NLT

HX5008NLT

Pulse Electronics Network

TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT