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IRFR9214

IRFR9214

Nur als Referenz

Teilenummer IRFR9214
PNEDA Teilenummer IRFR9214
Beschreibung MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 6.588
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRFR9214 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFR9214
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFR9214, IRFR9214 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 242,67 KB)
PDFIRFR9214TRR Datenblatt Cover
IRFR9214TRR Datenblatt Seite 2 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 3 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 4 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 5 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 6 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 7 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 8 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 9 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 10 IRFR9214TRR Datenblatt Seite 11

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IRFR9214 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

133nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17460pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

349W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

AUIRFR8403

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

99nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3171pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

99W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQP18N20V2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

123W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IXTM6N90A

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-204AA

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

IPD90N08S405ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

144W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-313

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

M27C512-15F1

M27C512-15F1

STMicroelectronics

IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP

SMAJ150CA-E3/61

SMAJ150CA-E3/61

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 150V 243V DO214AC

B520C-13-F

B520C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 5A SMC

CDSU4148

CDSU4148

Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

DALC208SC6

DALC208SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOT23-6

CDSOD323-T24C

CDSOD323-T24C

Bourns

TVS DIODE 24V 56V SOD323

DLP11TB800UL2L

DLP11TB800UL2L

Murata

CMC 100MA 2LN 80 OHM SMD

M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO

ADM3260ARSZ

ADM3260ARSZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 20SSOP

PIC16F684-I/ST

PIC16F684-I/ST

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 14TSSOP

MBR4045PT

MBR4045PT

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3P

BC817-16,215

BC817-16,215

Nexperia

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23