IRFU2905Z
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| Teilenummer | IRFU2905Z |
| PNEDA Teilenummer | IRFU2905Z |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.240 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRFU2905Z Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFU2905Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRFU2905Z Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 42A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 36A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | IPAK (TO-251) |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8410pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 214W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 89W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 600mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1003pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 12.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 38W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
