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IRG4BC30U

IRG4BC30U

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC30U
PNEDA Teilenummer IRG4BC30U
Beschreibung IGBT 600V 23A 100W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.130
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRG4BC30U Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC30U
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC30U, IRG4BC30U Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 172,76 KB)
PDFIRG4BC30U Datenblatt Cover
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IRG4BC30U Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)23A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)92A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
Leistung - max100W
Schaltenergie160µJ (on), 200µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge50nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/78ns
Testbedingung480V, 12A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/150ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

260A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 82A

Leistung - max

1250W

Schaltenergie

5.5mJ (on), 12.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/265ns

Testbedingung

600V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

NGB18N40CLBT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

430A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 20A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

23mJ (on), 2.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/370ns

Testbedingung

1500V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

864ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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