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IRG4BC30W

IRG4BC30W

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC30W
PNEDA Teilenummer IRG4BC30W
Beschreibung IGBT 600V 23A 100W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.826
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRG4BC30W Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC30W
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC30W, IRG4BC30W Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 142,38 KB)
PDFIRG4BC30W Datenblatt Cover
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IRG4BC30W Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)23A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)92A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
Leistung - max100W
Schaltenergie130µJ (on), 130µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge51nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/99ns
Testbedingung480V, 12A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

55µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/100ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

290nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

75ns/305ns

Testbedingung

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/135ns

Testbedingung

720V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGP7NB60HD

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/75ns

Testbedingung

480V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKB20N60TATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

770µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/199ns

Testbedingung

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

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