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IRG4BC40W-STRRP

IRG4BC40W-STRRP

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC40W-STRRP
PNEDA Teilenummer IRG4BC40W-STRRP
Beschreibung IGBT 600V 40A 160W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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IRG4BC40W-STRRP Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC40W-STRRP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4BC40W-STRRP Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max160W
Schaltenergie110µJ (on), 230µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge98nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.27ns/100ns
Testbedingung480V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

85µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/70ns

Testbedingung

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

RGW80TK65GVC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

39A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

81W

Schaltenergie

760µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/143ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

IRG4BC10UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

140µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/87ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

AUIRGP65G40D0

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CooliRIGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

62A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

298µJ (on), 147µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/142ns

Testbedingung

400V, 20A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

68A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/190ns

Testbedingung

480V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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