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IRG4PH20KD

IRG4PH20KD

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4PH20KD
PNEDA Teilenummer IRG4PH20KD
Beschreibung IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.120
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4PH20KD Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4PH20KD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4PH20KD, IRG4PH20KD Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 196,51 KB)
PDFIRG4PH20KD Datenblatt Cover
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IRG4PH20KD Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)11A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)22A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.3V @ 15V, 5A
Leistung - max60W
Schaltenergie620µJ (on), 300µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/100ns
Testbedingung800V, 5A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)51ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 2.5A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/225ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG8P60N120KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

420W

Schaltenergie

2.8mJ (on), 2.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

345nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/240ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

210ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRG4PH50SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

57A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

114A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/845ns

Testbedingung

960V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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