IRG4PH20KD
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG4PH20KD |
| PNEDA Teilenummer | IRG4PH20KD |
| Beschreibung | IGBT 1200V 11A 60W TO247AC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.120 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4PH20KD Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4PH20KD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG4PH20KD Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 11A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 22A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.3V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 620µJ (on), 300µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 28nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 50ns/100ns |
| Testbedingung | 800V, 5A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 51ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 3A Leistung - max 65W Schaltenergie 55µJ (on), 85µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/72ns Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 23.5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 2.5A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 60nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/225ns Testbedingung 600V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 420W Schaltenergie 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 345nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/240ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 210ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A Leistung - max 104W Schaltenergie 96µJ (on), 355µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/205ns Testbedingung 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
