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IRG4PSC71KPBF

IRG4PSC71KPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4PSC71KPBF
PNEDA Teilenummer IRG4PSC71KPBF
Beschreibung IGBT 600V 85A 350W SUPER247
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $59,9762
100 ---------- $57,1648
250 ---------- $54,3534
500 ---------- $51,5420
750 ---------- $49,1992
1.000 ---------- $46,8564
Auf Lager 13.822
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRG4PSC71KPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4PSC71KPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4PSC71KPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 60A
Leistung - max350W
Schaltenergie790µJ (on), 1.98mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge340nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.34ns/54ns
Testbedingung480V, 60A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-274AA
LieferantengerätepaketSUPER-247™ (TO-274AA)

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

4.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/350ns

Testbedingung

720V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGP12NB60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

258µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

54nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/96ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

RJH65D27BDPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRG4BC10UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

140µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/87ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGFW30NC60V

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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