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IRG4RC20FTR

IRG4RC20FTR

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4RC20FTR
PNEDA Teilenummer IRG4RC20FTR
Beschreibung IGBT 600V 22A 66W DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.726
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IRG4RC20FTR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4RC20FTR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4RC20FTR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)44A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
Leistung - max66W
Schaltenergie190µJ (on), 920µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/194ns
Testbedingung480V, 12A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketD-Pak

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

17µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/55ns

Testbedingung

300V, 8A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

2.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGWT30V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

STGB30H60DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

383µJ (on), 293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGP19NC60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

165µJ (on), 255µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/105ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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