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IRG8CH15K10D

IRG8CH15K10D

Nur als Referenz

Teilenummer IRG8CH15K10D
PNEDA Teilenummer IRG8CH15K10D
Beschreibung IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.730
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG8CH15K10D Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG8CH15K10D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG8CH15K10D Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie-
Eingabetyp-
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

1.55mJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/74ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

104A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 42A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/445ns

Testbedingung

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRG4PH40K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

730µJ (on), 1.66mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/200ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 35A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

300nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/340ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

RGS50TSX2HRC11

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/140ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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