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IRG8P40N120KDPBF

IRG8P40N120KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG8P40N120KDPBF
PNEDA Teilenummer IRG8P40N120KDPBF
Beschreibung IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $58,4234
100 ---------- $55,6848
250 ---------- $52,9462
500 ---------- $50,2076
750 ---------- $47,9255
1.000 ---------- $45,6433
Auf Lager 128
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 29 - Jun 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG8P40N120KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG8P40N120KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG8P40N120KDPBF, IRG8P40N120KDPBF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 542,02 KB)
PDFIRG8P40N120KD-EPBF Datenblatt Cover
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IRG8P40N120KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 25A
Leistung - max305W
Schaltenergie1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge240nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/245ns
Testbedingung600V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)80ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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IRGP4066PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

FGP30N6S2D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

APT13GP120BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 165µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/28ns

Testbedingung

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRG4P254S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

98A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

196A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 55A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

380µJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/270ns

Testbedingung

200V, 55A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

HGTG40N60A4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

400µJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/145ns

Testbedingung

390V, 40A, 2.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

HCS3920FTL500

HCS3920FTL500

Stackpole Electronics

RES 500 UOHM 1% 5W 3920

MT8870DSR1

MT8870DSR1

Microchip Technology

IC RECEIVER DTMF 18SOIC

W25Q256JVFIQ

W25Q256JVFIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC

MAX17222ELT+T

MAX17222ELT+T

Maxim Integrated

IC REG BOOST ADJ 500MA 6UDFN

M4A5-32/32-10JNC

M4A5-32/32-10JNC

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC

SMBJ10A

SMBJ10A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 10V 17V DO214AA

D5V0L4B5SO-7

D5V0L4B5SO-7

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 14V SOT353

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

HEDS-5500#F04

HEDS-5500#F04

Broadcom

ROTARY ENCODER OPTICAL 256PPR

595D336X0035R2T

595D336X0035R2T

Vishay Sprague

CAP TANT 33UF 20% 35V 2824

ADAU1761BCPZ

ADAU1761BCPZ

Analog Devices

IC SIGMADSP CODEC PLL 32LFCSP

AD623ARZ

AD623ARZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC