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IRG8P50N120KDPBF

IRG8P50N120KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG8P50N120KDPBF
PNEDA Teilenummer IRG8P50N120KDPBF
Beschreibung IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.742
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IRG8P50N120KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG8P50N120KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG8P50N120KDPBF, IRG8P50N120KDPBF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 603,57 KB)
PDFIRG8P50N120KD-EPBF Datenblatt Cover
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IRG8P50N120KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 35A
Leistung - max350W
Schaltenergie2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/190ns
Testbedingung600V, 35A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)170ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

174W

Schaltenergie

215µJ (on), 245µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

STGB3NB60KDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

30µJ (on), 58µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/33ns

Testbedingung

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

SGU15N40LTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

I-PAK

AUIRGU4045D

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

I-PAK

FGL12040WD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

391W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/560ns

Testbedingung

600V, 40A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

71ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

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