IRGB10B60KDPBF
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| Teilenummer | IRGB10B60KDPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGB10B60KDPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 22A 156W TO220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.070 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGB10B60KDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGB10B60KDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGB10B60KDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 22A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 44A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 156W |
| Schaltenergie | 140µJ (on), 250µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 38nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/230ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 210W Schaltenergie 1.06mJ (on), 620µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 42A Leistung - max 360W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.32µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
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