IRGS4045DTRLPBF
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| Teilenummer | IRGS4045DTRLPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGS4045DTRLPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 12A 77W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.146 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGS4045DTRLPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGS4045DTRLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IRGS4045DTRLPBF, IRGS4045DTRLPBF Datenblatt
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IRGS4045DTRLPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A |
| Leistung - max | 77W |
| Schaltenergie | 56µJ (on), 122µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 19.5nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/75ns |
| Testbedingung | 400V, 6A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 74ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 66A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 152A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 39A Leistung - max 140W Schaltenergie 4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/250ns Testbedingung 480V, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A Leistung - max 394W Schaltenergie 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 234nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/245ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A Leistung - max 60W Schaltenergie 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12.5ns/105ns Testbedingung 480V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 45ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
