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IRGS4615DTRRPBF

IRGS4615DTRRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGS4615DTRRPBF
PNEDA Teilenummer IRGS4615DTRRPBF
Beschreibung IGBT 600V 23A 99W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.122
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRGS4615DTRRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGS4615DTRRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGS4615DTRRPBF, IRGS4615DTRRPBF Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 315,1 KB)
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IRGS4615DTRRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)23A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 8A
Leistung - max99W
Schaltenergie70µJ (on), 145µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/95ns
Testbedingung400V, 8A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 28A

Leistung - max

43W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

320W

Schaltenergie

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/229ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

153ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-247AD

NGTB25N120LWG

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Hersteller

ON Semiconductor

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

3.4mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

89ns/235ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

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