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IRKH105/12A

IRKH105/12A

Nur als Referenz

Teilenummer IRKH105/12A
PNEDA Teilenummer IRKH105-12A
Beschreibung SCR DBL LOSCR 1200V 105A ADDAPAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.564
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRKH105/12A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRKH105/12A
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
IRKH105/12A, IRKH105/12A Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 153,94 KB)
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IRKH105/12A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSeries Connection - SCR/Diode
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR, 1 Diode
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)105A
Current - On State (It (RMS)) (max.)235A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)1785A, 1870A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 130°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallADD-A-PAK (3 + 2)

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Hersteller

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Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

300A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

51A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

80A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1150A, 1230A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

T2180N16TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

2180A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

4460A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

44000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AD

VS-VSKH136/16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

135A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

300A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

3200A, 3360A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

6 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

70A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

550A, 600A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

FO-T-A

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