IRL1404PBF
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| Teilenummer | IRL1404PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRL1404PBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 43.890 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRL1404PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRL1404PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRL1404PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 160A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.3V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 95A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6590pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2130pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.56W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-DSO-8 Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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