IRLHM620TR2PBF
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Teilenummer | IRLHM620TR2PBF |
PNEDA Teilenummer | IRLHM620TR2PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
Hersteller | Infineon Technologies |
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Auf Lager | 7.812 |
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IRLHM620TR2PBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRLHM620TR2PBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRLHM620TR2PBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 26A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3620pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PQFN (3x3) |
Paket / Fall | 8-VQFN Exposed Pad |
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