Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRLR024TR

IRLR024TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRLR024TR
PNEDA Teilenummer IRLR024TR
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.978
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRLR024TR Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLR024TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLR024TR, IRLR024TR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 448,6 KB)
PDFIRLU024 Datenblatt Cover
IRLU024 Datenblatt Seite 2 IRLU024 Datenblatt Seite 3 IRLU024 Datenblatt Seite 4 IRLU024 Datenblatt Seite 5 IRLU024 Datenblatt Seite 6 IRLU024 Datenblatt Seite 7 IRLU024 Datenblatt Seite 8 IRLU024 Datenblatt Seite 9 IRLU024 Datenblatt Seite 10 IRLU024 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRLR024TR Datasheet
  • where to find IRLR024TR
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRLR024TR
  • IRLR024TR PDF Datasheet
  • IRLR024TR Stock

  • IRLR024TR Pinout
  • Datasheet IRLR024TR
  • IRLR024TR Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRLR024TR Price
  • IRLR024TR Distributor

IRLR024TR Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPD90R1K2C3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 310µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSS84AKMB,315

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

230mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN1006B-3

Paket / Fall

3-XFDFN

AO4413_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 15A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NVB5860NLT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13216pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

283W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK-3

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFR1205TRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

LTC3410BESC6#TRMPBF

LTC3410BESC6#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 300MA SC70-6

HSMS-2862-TR1G

HSMS-2862-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

MAX232EWE

MAX232EWE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

1SMB28AT3G

1SMB28AT3G

Littelfuse

TVS DIODE 28V 45.4V SMB

ES2D

ES2D

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

ADUM1401ARWZ

ADUM1401ARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

EE-SX1109

EE-SX1109

Omron Electronics Inc-EMC Div

SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD

MMBT2222

MMBT2222

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

LTC2943IDD

LTC2943IDD

Linear Technology/Analog Devices

IC SUPERVISOR

DG212BDY

DG212BDY

Vishay Siliconix

IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC