Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRLR4343TRPBF

IRLR4343TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRLR4343TRPBF
PNEDA Teilenummer IRLR4343TRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.064
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRLR4343TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLR4343TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLR4343TRPBF, IRLR4343TRPBF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 302,06 KB)
PDFIRLR4343TRPBF Datenblatt Cover
IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 2 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 3 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 4 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 5 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 6 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 7 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 8 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 9 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 10 IRLR4343TRPBF Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRLR4343TRPBF Datasheet
  • where to find IRLR4343TRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRLR4343TRPBF
  • IRLR4343TRPBF PDF Datasheet
  • IRLR4343TRPBF Stock

  • IRLR4343TRPBF Pinout
  • Datasheet IRLR4343TRPBF
  • IRLR4343TRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRLR4343TRPBF Price
  • IRLR4343TRPBF Distributor

IRLR4343TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds740pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)79W (Tc)
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQA6N90_F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

198W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

2SK4209

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.08Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 190W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PB

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

EKI07174

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.6mOhm @ 22.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 650µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2520pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

SUM40010EL-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11155pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQ4050EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2406pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

NFE31PT222Z1E9L

NFE31PT222Z1E9L

Murata

FILTER LC(T) 2200PF SMD

CAT24M01WI-GT3

CAT24M01WI-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

MC9S08LH36CLH

MC9S08LH36CLH

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 64LQFP

MAX253CSA+T

MAX253CSA+T

Maxim Integrated

IC DRVR TRANSFORMER 8-SOIC

MC74HC00ADR2G

MC74HC00ADR2G

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

MAX202EEUE

MAX202EEUE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

APHHS1005CGCK

APHHS1005CGCK

Kingbright

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

MCP42050-E/SL

MCP42050-E/SL

Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

FW2500025Z

FW2500025Z

Diodes Incorporated

CRYSTAL 25MHZ 20PF SMD

LTM4605IV#PBF

LTM4605IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

AT24C04D-SSHM-T

AT24C04D-SSHM-T

Microchip Technology

IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8SOIC