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IRLZ34PBF

IRLZ34PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRLZ34PBF
PNEDA Teilenummer IRLZ34PBF
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
Hersteller Vishay Siliconix
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IRLZ34PBF Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLZ34PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLZ34PBF, IRLZ34PBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.608,42 KB)
PDFIRLZ34 Datenblatt Cover
IRLZ34 Datenblatt Seite 2 IRLZ34 Datenblatt Seite 3 IRLZ34 Datenblatt Seite 4 IRLZ34 Datenblatt Seite 5 IRLZ34 Datenblatt Seite 6 IRLZ34 Datenblatt Seite 7 IRLZ34 Datenblatt Seite 8 IRLZ34 Datenblatt Seite 9

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IRLZ34PBF Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 18A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)88W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

FDH038AN08A1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8665pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

450W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

DMP1011LFV-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 6V

Vgs (Max)

-6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

913pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.16W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

PSMN2R2-40BS,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8423pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

306W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

158nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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