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IS25WP064-JBLE-TR

IS25WP064-JBLE-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS25WP064-JBLE-TR
PNEDA Teilenummer IS25WP064-JBLE-TR
Beschreibung IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 3.114
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS25WP064-JBLE-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS25WP064-JBLE-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS25WP064-JBLE-TR, IS25WP064-JBLE-TR Datenblatt (Total Pages: 110, Größe: 1.677,36 KB)
PDFIS25WP032-JBLE Datenblatt Cover
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IS25WP064-JBLE-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße64Mb (8M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite800µs
Zugriffszeit7ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Surface Mount

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Hersteller

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

130ns

Zugriffszeit

130ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-TSOP II

S30ML512P30TFI003

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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