IS42RM32800E-6BLI
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS42RM32800E-6BLI |
| PNEDA Teilenummer | IS42RM32800E-6BLI |
| Beschreibung | IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.300 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 12 - Mai 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS42RM32800E-6BLI Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS42RM32800E-6BLI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS42RM32800E-6BLI, IS42RM32800E-6BLI Datenblatt
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IS42RM32800E-6BLI Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Speichergröße | 256Mb (8M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 5.5ns |
| Spannung - Versorgung | 2.3V ~ 3V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-TFBGA (8x13) |
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