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IS42S16160D-75EBL

IS42S16160D-75EBL

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S16160D-75EBL
PNEDA Teilenummer IS42S16160D-75EBL
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S16160D-75EBL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S16160D-75EBL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S16160D-75EBL, IS42S16160D-75EBL Datenblatt (Total Pages: 64, Größe: 990,95 KB)
PDFIS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Cover
IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 2 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 3 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 4 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 5 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 6 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 7 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 8 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 9 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 10 IS45S16160D-7TLA2-TR Datenblatt Seite 11

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IS42S16160D-75EBL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x13)

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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