IS43DR16320D-25DBI-TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS43DR16320D-25DBI-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS43DR16320D-25DBI-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.424 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IS43DR16320D-25DBI-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IS43DR16320D-25DBI-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS43DR16320D-25DBI-TR, IS43DR16320D-25DBI-TR Datenblatt
(Total Pages: 48, Größe: 1.091,38 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IS43DR16320D-25DBI-TR Datasheet
- where to find IS43DR16320D-25DBI-TR
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBI-TR
- IS43DR16320D-25DBI-TR PDF Datasheet
- IS43DR16320D-25DBI-TR Stock
- IS43DR16320D-25DBI-TR Pinout
- Datasheet IS43DR16320D-25DBI-TR
- IS43DR16320D-25DBI-TR Supplier
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
- IS43DR16320D-25DBI-TR Price
- IS43DR16320D-25DBI-TR Distributor
IS43DR16320D-25DBI-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 400ps |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 84-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 84-TWBGA (8x12.5) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Lieferantengerätepaket 50/44-TSOP II |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie FL-L Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, QPI Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FRAM Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Speichergröße 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 233MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.2ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 576-BBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket 576-FCBGA (25x25) |
