IS43LR32160C-6BL-TR
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| Teilenummer | IS43LR32160C-6BL-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS43LR32160C-6BL-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.842 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IS43LR32160C-6BL-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS43LR32160C-6BL-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS43LR32160C-6BL-TR, IS43LR32160C-6BL-TR Datenblatt
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IS43LR32160C-6BL-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Speichergröße | 512Mb (16M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 12ns |
| Zugriffszeit | 5.5ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-TFBGA (8x13) |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (1K x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP-BJ |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
