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IS45S32400B-6BLA1-TR

IS45S32400B-6BLA1-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S32400B-6BLA1-TR
PNEDA Teilenummer IS45S32400B-6BLA1-TR
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S32400B-6BLA1-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S32400B-6BLA1-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S32400B-6BLA1-TR, IS45S32400B-6BLA1-TR Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 477,16 KB)
PDFIS45S32400B-6TLA1-TR Datenblatt Cover
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IS45S32400B-6BLA1-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (4M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Gb (256M x 16)

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

Hersteller

Macronix

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY62126DV30L-55ZSXET

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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