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IS61LV51216-10TLI-TR

IS61LV51216-10TLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS61LV51216-10TLI-TR
PNEDA Teilenummer IS61LV51216-10TLI-TR
Beschreibung IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61LV51216-10TLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61LV51216-10TLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61LV51216-10TLI-TR, IS61LV51216-10TLI-TR Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 101,33 KB)
PDFIS64LV51216-12TLA3-TR Datenblatt Cover
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IS61LV51216-10TLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

24LC16BH-I/ST

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AT27BV4096-12JI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

44-PLCC (16.6x16.6)

FM24VN10-GTR

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

3.4MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

130ns

Spannung - Versorgung

2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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