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IS61QDB42M18-250M3

IS61QDB42M18-250M3

Nur als Referenz

Teilenummer IS61QDB42M18-250M3
PNEDA Teilenummer IS61QDB42M18-250M3
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Stückpreis
1 ---------- $750,6239
50 ---------- $715,4384
100 ---------- $680,2529
200 ---------- $645,0674
400 ---------- $615,7461
500 ---------- $586,4249
Auf Lager 169
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS61QDB42M18-250M3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61QDB42M18-250M3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61QDB42M18-250M3, IS61QDB42M18-250M3 Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 506,48 KB)
PDFIS61QDB41M36-250M3L Datenblatt Cover
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IS61QDB42M18-250M3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QUAD
Speichergröße36Mb (2M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit7.5ns
Spannung - Versorgung1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-LFBGA (15x17)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Lieferantengerätepaket

SOT-23-5

CAV93C86YE-GT3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

CY15E004Q-SXA

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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