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IS61WV1288EEBLL-10TLI

IS61WV1288EEBLL-10TLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61WV1288EEBLL-10TLI
PNEDA Teilenummer IS61WV1288EEBLL-10TLI
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.712
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61WV1288EEBLL-10TLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61WV1288EEBLL-10TLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61WV1288EEBLL-10TLI, IS61WV1288EEBLL-10TLI Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.108,2 KB)
PDFIS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datenblatt Cover
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IS61WV1288EEBLL-10TLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket32-TSOP II

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Speichergröße

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ms

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

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