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IS61WV5128BLL-10KLI-TR

IS61WV5128BLL-10KLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS61WV5128BLL-10KLI-TR
PNEDA Teilenummer IS61WV5128BLL-10KLI-TR
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61WV5128BLL-10KLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61WV5128BLL-10KLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61WV5128BLL-10KLI-TR, IS61WV5128BLL-10KLI-TR Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 545,11 KB)
PDFIS61WV5128BLS-25TLI-TR Datenblatt Cover
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IS61WV5128BLL-10KLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket36-SOJ

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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-

Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

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Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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