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IS61WV6416DBLL-10BLI

IS61WV6416DBLL-10BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61WV6416DBLL-10BLI
PNEDA Teilenummer IS61WV6416DBLL-10BLI
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.135
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61WV6416DBLL-10BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61WV6416DBLL-10BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61WV6416DBLL-10BLI, IS61WV6416DBLL-10BLI Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 737,82 KB)
PDFIS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Cover
IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 2 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 3 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 4 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 5 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 6 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 7 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 8 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 9 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 10 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 11

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IS61WV6416DBLL-10BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-miniBGA (6x8)

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CY7C1520KV18-333BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

MT51K128M32HF-60 N:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

SGRAM - GDDR5

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.5GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

170-TFBGA

Lieferantengerätepaket

170-FBGA (12x14)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

M27C1001-45XF1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - UV

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-CDIP (0.600", 15.24mm) Window

Lieferantengerätepaket

32-CDIP Frit Seal with Window

AT25BCM512C-MAHF-Y

Adesto Technologies

Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

70MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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