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IS64LF12832A-7.5TQLA3

IS64LF12832A-7.5TQLA3

Nur als Referenz

Teilenummer IS64LF12832A-7.5TQLA3
PNEDA Teilenummer IS64LF12832A-7-5TQLA3
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.082
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS64LF12832A-7.5TQLA3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS64LF12832A-7.5TQLA3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS64LF12832A-7.5TQLA3, IS64LF12832A-7.5TQLA3 Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 945,77 KB)
PDFIS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Cover
IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 2 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 3 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 4 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 5 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 6 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 7 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 8 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 9 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 10 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 11

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IS64LF12832A-7.5TQLA3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße4Mb (128K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit7.5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Serie

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Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

256Gb (32G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

132-TBGA (12x18)

MT49H16M36SJ-18:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (16M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

144-FBGA (18.5x11)

S34ML01G200TFI500

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

ML-2

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

MT29F32G08CBEDBL83A3WC1

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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