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IS66WV51216EBLL-70BLI

IS66WV51216EBLL-70BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS66WV51216EBLL-70BLI
PNEDA Teilenummer IS66WV51216EBLL-70BLI
Beschreibung IC PSRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS66WV51216EBLL-70BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS66WV51216EBLL-70BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS66WV51216EBLL-70BLI, IS66WV51216EBLL-70BLI Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 692,71 KB)
PDFIS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Cover
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 2 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 3 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 4 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 5 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 6 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 7 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 8 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 9 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 10 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 11

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IS66WV51216EBLL-70BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

CBRAM®

Technologie

CBRAM

Speichergröße

128kb (64B Page Size)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-TSSOP

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

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32-SOJ

7025S17J8

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

17ns

Zugriffszeit

17ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-LCC (J-Lead)

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7015L25J

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

72Kb (8K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

68-LCC (J-Lead)

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