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IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR

IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
PNEDA Teilenummer IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
Beschreibung IC PSRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 3.438
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR, IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt (Total Pages: 33, Größe: 647,07 KB)
PDFIS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Cover
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 2 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 3 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 4 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 5 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 6 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 7 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 8 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 9 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 10 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 11

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IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße32Mb (2M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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S34MS08G201BHA003

SkyHigh Memory Limited

Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS25LP256D-RHLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-TFBGA (6x8)

MT28F004B3VG-8 TET TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

80ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

40-TSOP I

S29GL128P11FAIV10

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

CY7C1367C-166AXCT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

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