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IS66WVE4M16EBLL-70BLI

IS66WVE4M16EBLL-70BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS66WVE4M16EBLL-70BLI
PNEDA Teilenummer IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Beschreibung IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS66WVE4M16EBLL-70BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS66WVE4M16EBLL-70BLI, IS66WVE4M16EBLL-70BLI Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 790,42 KB)
PDFIS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Cover
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße64Mb (4M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IDT71V3558S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

M24C04-DRMN3TP/K

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

S25FL128LAGMFM003

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-L

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

CY62147GE30-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

AS7C34096A-20TCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP2

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