ISL6615ACRZ-T
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| Teilenummer | ISL6615ACRZ-T |
| PNEDA Teilenummer | ISL6615ACRZ-T |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.820 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL6615ACRZ-T Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6615ACRZ-T |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6615ACRZ-T Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 6.8V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2.5A, 4A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 13ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 10-DFN (3x3) |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 2.3V, - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 100V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 430ns, 260ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO PowerPad |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 2.3V, - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 430ns, 260ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-WSON (4x4) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 1.1V, 1.9V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 290mA, 430mA Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 75ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 290mA, 600mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 75ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
