IX2R11M6T/R
Nur als Referenz
| Teilenummer | IX2R11M6T/R |
| PNEDA Teilenummer | IX2R11M6T-R |
| Beschreibung | IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.678 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IX2R11M6T/R Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IX2R11M6T/R |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IX2R11M6T/R Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 35V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 500V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 8ns, 7ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 16-MLP (7x6) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.5A, 1.5A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 19ns, 19ns Betriebstemperatur 0°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
