IXBH16N170
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| Teilenummer | IXBH16N170 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXBH16N170 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1700V 40A 250W TO247AD | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 272 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXBH16N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBH16N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBH16N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 16A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 72nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.32µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXBH) |
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 12A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.4µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 320A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 800A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A Leistung - max 1500W Schaltenergie 9.7mJ (on), 21.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 400nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/340ns Testbedingung 960V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 54ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 8A Leistung - max 125W Schaltenergie 1mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/440ns Testbedingung 800V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 267W Schaltenergie 1.16mJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/37ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 366W Schaltenergie 970µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 84ns/177ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 72ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
