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IXBH42N170

IXBH42N170

Nur als Referenz

Teilenummer IXBH42N170
PNEDA Teilenummer IXBH42N170
Beschreibung IGBT 1700V 80A 360W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.840
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXBH42N170 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBH42N170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBH42N170, IXBH42N170 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 175,74 KB)
PDFIXBH42N170 Datenblatt Cover
IXBH42N170 Datenblatt Seite 2 IXBH42N170 Datenblatt Seite 3 IXBH42N170 Datenblatt Seite 4 IXBH42N170 Datenblatt Seite 5

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IXBH42N170 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 42A
Leistung - max360W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge188nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)1.32µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXBH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

122nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/93ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

IXGP24N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/75ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

APT70GR120B2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

961W

Schaltenergie

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

544nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/278ns

Testbedingung

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGIB7B60KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

39W

Schaltenergie

160µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/160ns

Testbedingung

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Kürzlich verkauft

DS1225AD-150IND

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TVS DIODE 10V 17V DO214AA

IS42S16160G-7BLI-TR

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

7A-8.000MBBK-T

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TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

HCPL-0531-500E

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Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8SOIC

LM2904AQTH-13

LM2904AQTH-13

Diodes Incorporated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8TSSOP

PDS1040-13

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERDI5

VC060318A400RP

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VARISTOR 25.5V 30A 0603

4608X-101-102LF

4608X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

LTST-C190KGKT

LTST-C190KGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD