IXBH6N170
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXBH6N170 |
| PNEDA Teilenummer | IXBH6N170 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 12A 75W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.678 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBH6N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBH6N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBH6N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 36A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 6A |
| Leistung - max | 75W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 17nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.08µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXBH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 270W Schaltenergie 6.5mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/480ns Testbedingung 600V, 40A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/208ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 15A Leistung - max 167W Schaltenergie 420µJ (on), 110µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/73ns Testbedingung 400V, 15A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 196ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A Leistung - max 160W Schaltenergie 730µJ (on), 1.66mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 94nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/200ns Testbedingung 960V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Leistung - max 178W Schaltenergie 370µJ (on), 67µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.3ns/54.8ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 82.4ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
