IXBP5N160G
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| Teilenummer | IXBP5N160G |
| PNEDA Teilenummer | IXBP5N160G |
| Beschreibung | IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.574 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBP5N160G Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBP5N160G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBP5N160G Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5.7A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 7.2V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 68W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 26nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 960V, 3A, 47Ohm, 10V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/87ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
