IXDR30N120
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| Teilenummer | IXDR30N120 |
| PNEDA Teilenummer | IXDR30N120 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.802 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXDR30N120 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDR30N120 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXDR30N120 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 4.6mJ (on), 3.4mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 600V, 30A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | ISOPLUS247™ |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS247™ |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 35A Leistung - max 200W Schaltenergie 5.4mJ (on), 2.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 35A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
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